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我国研制出新型超高导电材料 铌相关概念受关注

作者:钨钼云商  发布时间:2019-03-26  点击量:745


    据媒体报道,材料领域国际顶级期刊《自然·材料》,发表复旦大学修发贤团队最新研究论文《外尔半金属砷化铌纳米带中的超高电导率》,制备出二维体系中具有目前已知最高导电率的外尔半金属材料-砷化铌纳米带,电导率是铜薄膜的一百倍,石墨烯的一千倍。
    业内表示,导电材料是电子工业的基础,现在最主要的材料是铜,而当铜变得很薄,进入二维尺度时,导电性迅速变差,功耗大幅度增加。这是制约芯片等集成电路技术进一步发展的重要瓶颈。新材料砷化铌不仅具有极高的电导率,同时,区别于超导材料只能在超低温下应用,它的高电导机制即使在室温下仍然有效。这一发现在降低电子器件能耗等方面有重大价值。铌具有热导率好、熔点高、耐腐蚀性好等优点,用途广泛,相关公司受关注。

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